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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
11.6
9.8
写入速度,GB/s
8.0
6.7
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
1304
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB RAM的比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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