SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    11.6 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 6.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 46
    Около -48% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.6 left arrow 9.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 6.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1854 left arrow 1304
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения