SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Unterschiede

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 6.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 46
    Rund um -48% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 9.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 6.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1854 left arrow 1304
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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