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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
37
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
21
读取速度,GB/s
13.2
17.9
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3167
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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Kingston KCDT82-MIE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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