RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
74
En 65% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
74
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1925
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link