RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
96
En 73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
96
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1211
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link