RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
96
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1211
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MID 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link