RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston KYXC0V-MID 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link