RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link