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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2580
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
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