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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En 53% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
60
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2129
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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