RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
60
Autour de 53% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
60
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2129
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link