RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3115
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link