RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2466
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link