RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2466
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link