RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
77
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
68
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2037
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link