RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2808
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link