RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

総合得点
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 37
    周辺 3% 低遅延
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2481 left arrow 2808

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAMの比較

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
メモリRAM
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM