RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
2462
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link