RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2462
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link