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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
1967
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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