Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Note globale
star star star star star
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Note globale
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 37
    Autour de 24% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.3 left arrow 8.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.5 left arrow 5.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.3 left arrow 8.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.5 left arrow 5.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2213 left arrow 1967
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons