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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3506
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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