RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3506
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link