RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
59
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3169
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link