RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
59
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3169
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link