RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
43
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2864
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link