RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
63
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
1932
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link