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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
49
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2808
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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