RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.0
Скорость записи, Гб/сек
8.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2808
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link