RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
73
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,139.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
73
63
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
4,027.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
3,139.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
739
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB Сравнения RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link