RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2984
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link