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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2756
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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