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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2136
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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