RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3546
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link