RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
3546
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link