RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2565
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link