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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2935
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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