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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
49
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
13.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
2935
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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