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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
no data
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
, 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3043
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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