Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

总分
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    31 left arrow 49
    左右 -58% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.9 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.4 left arrow 8.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    49 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    10.9 left arrow 16.9
  • 写入速度,GB/s
    8.7 left arrow 12.4
  • 内存带宽,mbps
    17000 left arrow no data
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    2427 left arrow 3043
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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