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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

总分
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

总分
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 41
    左右 -24% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.8 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    11.6 left arrow 17.8
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1438 left arrow 3285

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较

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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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内存RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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内存RAM
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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