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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
41
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
3285
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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