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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2962
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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