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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.9
15.3
写入速度,GB/s
8.7
11.7
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2962
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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