RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
71
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
71
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
1902
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link