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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
71
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
71
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
8.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
1902
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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