Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 14900
    En 1.14% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 49
    En -63% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    49 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 8.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 14900
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2427 left arrow 2199
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones