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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

総合得点
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
    周辺 1.14% 高帯域
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 49
    周辺 -63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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