RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Compara
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
65
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
5.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
65
Velocidad de lectura, GB/s
8.5
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1660
1981
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link