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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Puntuación global
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Puntuación global
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Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    44 left arrow 65
    En 32% menor latencia
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    5.8 left arrow 5.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 65
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.5 left arrow 8.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.6 left arrow 5.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1660 left arrow 1981

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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